金融界2025年1月31日消息证券投资配资分析，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN 119384218 A，申请日期为2024年11月。 专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构，包括：衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底包括第一区域和第二区域；第一导电柱，第一导电柱位于衬底的第一区域内，且贯穿衬底；通孔电容，通孔电容位于衬底的第二区域内；其中，通孔电
金融界2025年1月31日消息怎么杠杆买股票，国家知识产权局信息显示，中航光电科技股份有限公司申请一项名为“一种插孔结构及水下密封连接器”的专利，公开号CN119381808A，申请日期为2024年12月。 专利摘要显示，本发明公开了一种插孔结构及水下密封连接器，插孔结构包括轴向顶接配合的活动顶杆、弹簧、插孔本体一、插孔本体二和插孔本体三，插孔本体三的前端部通过油囊与活动顶杆滑动密封配合，插孔本体二内固设有从插孔本体一的前端伸出的导向杆；弹簧包括位于活动顶杆与插孔本体一之间的弹簧一、位于插孔本