金融界2025年1月31日消息证券投资配资分析，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN 119384218 A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构，包括：衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底包括第一区域和第二区域；第一导电柱，第一导电柱位于衬底的第一区域内，且贯穿衬底；通孔电容，通孔电容位于衬底的第二区域内；其中，通孔电容包括：第二导电柱，第二导电柱贯穿衬底；堆叠层，堆叠层包括上电极层、介质层、下电极层；堆叠层环绕第二导电柱且还覆盖衬底的第一区域的第一表面，上电极层覆盖第二导电柱侧壁。根据本公开实施例，能够提高半导体结构对高频电源噪声的抑制效果。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币，实缴资本5363300万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了17家企业，参与招投标项目1088次，知识产权方面有商标信息207条，专利信息227条，此外企业还拥有行政许可28个。

来源：金融界证券投资配资分析

发布于：北京市

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